Kargom Nerede ?
Sipariş Takibi
Yeni
Si4599 N ve P Kanal Mosfet Modülü 40V
MOSFET Modülü Si4599, aynı entegre içerisinde N kanal ve P kanal MOSFET bulunan 40 V sınıfı bir güç anahtarlama kartıdır. DC yük kontrolü, köprü devreleri, güç dönüştürücüleri ve elektronik anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Kompakt modül yapısı sayesinde prototip ve özel elektronik devrelere kolayca entegre edilebilir.
208,17 ₺
Stok Kodu
sk2128
Fiyat
3,60 USD + KDV
Havale
201,93 TL
(%3,00 havale indirimi)
Si4599 N ve P Kanal Mosfet Modülü 40 V
MOSFET Modülü Si4599, aynı entegre içerisinde N kanal ve P kanal MOSFET bulunan 40 V sınıfı bir güç anahtarlama kartıdır. DC yük kontrolü, köprü devreleri, güç dönüştürücüleri ve elektronik anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Kompakt modül yapısı sayesinde prototip ve özel elektronik devrelere kolayca entegre edilebilir.
MOSFET Modülü Si4599, Vishay Si4599DY N ve P kanal MOSFET yapısını kullanarak iki farklı kanal tipini tek kart üzerinde sunan kompakt bir anahtarlama modülüdür. N kanal tarafında 40 V, P kanal tarafında -40 V drain-source gerilim değeri bulunur. Modül; DC yüklerin anahtarlanması, köprü tipi sürücü devreleri ve güç elektroniği uygulamalarında kullanılabilir. Si4599DY için üretici tarafından tam köprü dönüştürücü uygulaması da belirtilmektedir.
Si4599 entegresinin düşük RDS(on) değerleri, anahtarlama sırasında iletim kayıplarının azaltılmasına yardımcı olur. N kanal MOSFET için 10 V gate sürüşünde 0,0355 Ω, P kanal MOSFET için -10 V gate sürüşünde 0,045 Ω maksimum RDS(on) değeri belirtilmiştir. Kart üzerindeki bağlantı noktaları N ve P kanal bölümleri için ayrı olarak dışarı alınmıştır.
Belirtilen akım değerleri Si4599DY entegresinin üretici datasheet değerleridir. Gerçek uygulamada kullanılabilecek sürekli akım; kart yapısı, bağlantılar, ortam sıcaklığı, soğutma ve çalışma koşullarına bağlı olarak değişebilir.
Öne Çıkan Özellikler
- N kanal ve P kanal MOSFET tek modül üzerinde
- Si4599 tabanlı yapı
- 40 V / -40 V drain-source gerilim sınıfı
- ±20 V gate-source maksimum gerilim
- Düşük RDS(on) değerleri
- Güç anahtarlama ve köprü devrelerine uygun yapı
- Kompakt PCB modülü
Kullanım Alanları
- DC yüklerin elektronik olarak anahtarlanması
- H-köprü ve tam köprü devreleri
- DC-DC dönüştürücü devreleri
- Güç kaynağı ve güç yönetimi uygulamaları
- LED ve aydınlatma anahtarlama devreleri
- Batarya ile çalışan elektronik sistemler
- Elektronik prototipleme ve geliştirme projeleri
Teknik Özellikler
| Özellik | Değer |
|---|---|
| MOSFET Modeli | Si4599DY |
| MOSFET Yapısı | N Kanal + P Kanal |
| Drain-Source Gerilimi (VDS) | N Kanal: 40 V / P Kanal: -40 V |
| Gate-Source Gerilimi (VGS) | ±20 V |
| Sürekli Drain Akımı | N Kanal: 6,8 A / P Kanal: -5,8 A* |
| Darbeli Drain Akımı | N Kanal: 20 A / P Kanal: -20 A |
| N Kanal RDS(on) | 0,0355 Ω @ VGS = 10 V / 0,0425 Ω @ VGS = 4,5 V |
| P Kanal RDS(on) | 0,045 Ω @ VGS = -10 V / 0,062 Ω @ VGS = -4,5 V |
Elektriksel ve Bağlantı Bilgileri
Kart üzerinde görselde NS1, NG1, PS2, PG2, ND1 ve PD2 olarak işaretlenmiş bağlantı noktaları bulunmaktadır. Gate sürüş gerilimi ve yük akımı seçilirken Si4599DY datasheet sınırları dikkate alınmalıdır.
Paket İçeriği
- 1 Adet Si4599 N ve P Kanal MOSFET Modülü
- 1 Adet 6 Pin Erkek Header
Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Ürün hakkında henüz soru sorulmamış.